Предложена новая архитектура фоточувствительных элементов для ближней (0.7–1.4 мкм) и коротковолновой (1.4–3.0 мкм) инфракрасных областей спектра на основе гибридных наноструктур, состоящих из коллоидных квантовых точек PbS и функциональных слоев из ZnO и серебряных нанонитей AgNW. Исследованы малоразмерные (12 × 12 мкм) фоточувствительные элементы с энергетическим барьером на контакте слоев ККТ n- и p-типов проводимости. Исследованы вольт-амперные характеристики, спектральные зависимости оптического поглощения и относительной спектральной фоточувствительности Si(λ)/Si(λmax) барьерных структур при комнатной температуре. Показано, что предложенная архитектура барьерных структур обеспечивает фоточувствительность в широком спектральном диапазоне от 0.4 до 2.0 мкм. Обнаружено превышение среднего значения относительной спектральной чувствительности Si(λ)/Si(λmax) в 1.5 раза по сравнению с ранее наблюдавшимися в интервале длин волн 0.9–1.85 мкм для барьерных наноструктур из ККТ PbS.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации