Статьи автора

Инверсия типа поверхностной проводимости в коррелированном топологическом изоляторе SmB

Номер выпуска 1 от 01.12.2025

Впервые продемонстрирована возможность управления типом поверхностной проводимости в коррелированном топологическом изоляторе SmB. Переход к поверхностной проводимости -типа с инверсией знака эффекта Холла при гелиевых температурах реализован в результате обработки граней SmB, образованных поверхностями (110), пучком ионов аргона со средней энергией 500 эВ. Изменение типа поверхностной проводимости с доминирующим вкладом поверхностных дырок (с подвижностями до 60 смBc при 2 К) связывается как с удалением углерода с поверхности SmB и ее пассивации кислородом, так и с генерацией дефектов в приповерхностном слое, инициированных ионной бомбардировкой. Обнаруженный эффект открывает возможности модификации параметров поверхностного электронного транспорта в коррелированном топологическом изоляторе SmB посредством контролируемого введения дефектов или за счет эффекта поля.

12 0